一、低EMI、D类音频放大器及其应用（论文文献综述）
李可[1]（2018）在《基于GaN器件的高功率密度DC/DC模块电源设计》文中认为开关电源作为电力电子设备中不可或缺的组成部分,随着科技的飞速发展在不断改进优化,更高效、更可靠、低损耗、低噪声、抗干扰和模块化已成为开关电源的发展方向。其中DC/DC电源在计算机、通信、数据中心、电池充电、工业和航空等领域具有十分广泛的应用,其所消耗的电能可高达总电量的10%,因此对它的要求也越来越高,轻、薄、小、低耗能已成为其发展的必然趋势。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料,和传统的硅（Si）材料相比具有更大的禁带宽度、更高的击穿电场和更高的电子饱和速度等优点,使其在高温、高频、中高压等场合具有令人瞩目的应用前景。新型功率半导体器件一—增强型GaN晶体管（GaN E-HEMT）由于其独特的材料与结构,开关速度可高达Si MOSFET的十倍以上,开关损耗及导通损耗较小,因此适用于高频高效场合。随着开关频率的增加,GaN晶体管在DC/DC电源中应用时,可有效减小储能元件及磁性元件的体积,从而有益于提升电源的功率密度。为了极大发挥GaN E-HEMT的特性优势,本文对其开关特性做出了详尽分析。首先对GaN E-HEMT与Si MOSFET的结构进行了对比,然后对GaN E-HEMT的基本工作原理进行了分析。通过双脉冲半桥电路得出晶体管开关波形,并对开关过程及损耗产生机理做出了详细分析。由于GaN E-HEMT的高速开关特性,使得器件及回路中的寄生参数对开关特性的影响放大,造成开关波形出现尖峰及振荡,危害器件在使用过程中的可靠性,因此对尖峰及振荡的产生原因及影响因素做出分析,并提出一种新型的RCCD抑制电路,可有效抑制开通、关断过程中产生的尖峰及振荡问题。基于对GaN E-HEMT的特性分析,设计了主拓扑为LLC谐振变换器的DC/DC电源,根据设计要求,制作了输入电压为300V-400VDC、输出电压为12V DC、开关频率为470kHz的DC/DC样机,其中半桥开关管以及整流管均采用了GaN E-HEMT。通过对LLC谐振电路中的开关管损耗进行计算,可以证明使用GaN E-HEMT相较于使用Si MOSFET可有效减小损耗。并通过实验证明了 GaN E-HEMT作为开关管可有效提升DC/DC变换器的功率密度及效率。
郑晨[2]（2016）在《罗姆半导体产品东北区域市场营销策略研究》文中研究表明电子信息产业作为国民经济的先导产业和支柱产业,年平均发展速度超过25%,而作为基础产业的半导体业则对我国电子信息产业的发展起到重要的支撑作用。近年来,我国半导体产业发展迅速,产品日益丰富,并逐渐在激烈的市场竞争中占有一席之地。本文将以日本半导体导体企业罗姆半导体在国内的市场营销活动为研究对象,研究和分析了罗姆半导体市场营销策略。根据市场营销理论,首先分析和研究了罗姆半导体的内部和外部营销环境,包括政治、经济、社会、科技等宏观环境分析和行业所处的国际、国内环境分析。其次本文分别运用了PEST等工具,然后使用SWOT分析法,对罗姆半导体的优势、劣势、机遇、威胁做出客观的评估和分析。另外,根据STP分析和公司实际状况,确定了公司产品的市场细分,目标市场选择以及市场定位。依据4Ps营销理论,从产品、价格、渠道、促销和大客户管理五个方面构成的营销策略组合来对罗姆进行全面的分析和研究,最后为保证有效实施罗姆的营销策略,从绩效管理以相关部门互相合作两个方面,提出了对营销策略实施的支持和保障条件。本文的研究对罗姆半导体的市场营销策略的优化有直接的指导作用,对其他同类的半导体公司深耕国内市场具有一定的参考价值。
杨睿[3]（2009）在《小功率无滤波器D类音频功率放大器设计》文中研究指明与传统的模拟音频功率放大器（A类、B类、AB类）相比,基于开关模式的D类音频功率放大器以其高效率、低失真、低功耗、小尺寸等优势,在未来便携式和大功率音视频领域中将具有广阔的发展前景。基于设计要求,本论文提出了采用脉冲宽带调制（PWM）、反馈环路设计、全差分输入和全桥输出的系统方案,设计了一款单通道无滤波器D类音频功率放大器;基于D类音频功率放大器的原理与结构特点,分别进行了输入模块、三角波产生电路、PWM调制电路、输出模块等功能模块的设计与电路仿真。芯片输入级采用带共模反馈的全差分放大器结构设计,保证对共模信号的抑制,减少射频干扰和系统噪声对放大器的影响;采用无外置输出滤波器的优化PWM调制架构设计,减小系统静态功耗,节约系统空间,简化系统设计;输出级采用全桥式负载（BTL）输出方式,利用高速驱动电路来驱动功率管的输出,在满足THD的前提下合理设计其死区时间。基于和舰科技0.35μm单多晶两层铝的CMOS工艺,运用Cadence工作平台,对电路进行设计、仿真和后期的版图制作。芯片测试结果表明设计的芯片性能良好,满足预定的指标要求。芯片的工作电压为2.55.5V,采样频率为250KHz,能在谐波失真小于10%的情况下,对4?的负载提供2.5W的输出功率,效率高达82%,静态电流为2.8mA,无开关机噪声。
黄法,孔秀华[4]（2008）在《数字音频功率放大器MAX9700/MAX9712及其应用》文中研究指明MAX9700/MAX9712是MAXIM公司生产的宽工作电压范围、低EMI、免滤波、具有短路与热过载保护功能、高效率数字音频音频放大器。在负载为8Ω的情况下,MAX9700的负载功率为1.2W,MAX9712为500mW,适合PDA、MP3播放器、蜂窝电话等便携式音频装置的应用,文中详细介绍了它们的工作原理、功能、主要特点及应用。
曾宝国,曾妍[5]（2008）在《D类功率放大器的原理及应用》文中研究说明D类功放在体积、效率、省电等方面优势很适合在便携式、紧凑式大功率场合下应用。文中简要分析了D类功放的原理和特点,并介绍了一款基于MAX9742的简易功放电路。
魏智[6]（2004）在《低EMI、D类音频放大器及其应用》文中指出本文介绍了新型D类音频放大器（MAX9700/MAX9712）的功能、特点,及其应用方案。
二、低EMI、D类音频放大器及其应用（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、低EMI、D类音频放大器及其应用（论文提纲范文）
（1）基于GaN器件的高功率密度DC/DC模块电源设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 GaN晶体管 |
| 1.2.2 DC/DC电源 |
| 1.3 主要研究内容 |
| 第二章 GaN E-HEMT的基本结构及特性分析 |
| 2.1 GaN E-HEMT的基本结构 |
| 2.2 GaN E-HEMT的基本工作原理 |
| 2.3 GaN E-HEMT的反向导通特性 |
| 2.4 GaN E-HEMT的开关特性 |
| 2.4.1 GaN E-HEMT的开关特性仿真 |
| 2.4.2 GaN E-HEMT开关过程分析 |
| 2.5 GaN E-HEMT损耗分析 |
| 2.5.1 开关损耗 |
| 2.5.2 导通损耗 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 开关过程尖峰及振荡形成原因及抑制方法 |
| 3.1 GaN E-HEMT的开关速度 |
| 3.2 主动管尖峰及振荡形成原因及抑制方法 |
| 3.2.1 开通电流尖峰及振荡形成原因分析 |
| 3.2.2 关断过电压及振荡形成原因分析 |
| 3.2.3 开通电流尖峰及振荡抑制方法 |
| 3.2.4 关断过电压及振荡抑制方法 |
| 3.2.5 一种新型RCCD尖峰及振荡抑制电路设计 |
| 3.3 被动管串扰问题形成原因及抑制方法 |
| 3.3.1 串扰问题形成原因分析 |
| 3.3.2 影响串扰问题的因素 |
| 3.3.3 串扰问题的抑制方法 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于GaN E-HEMT的DC/DC电源设计 |
| 4.1 DC/DC电源主电路 |
| 4.1.1 DC/DC电源拓扑选择 |
| 4.1.2 LLC谐振变换器的基本工作原理 |
| 4.1.3 LLC谐振变换器的建模 |
| 4.1.4 改进型LLC谐振变换器 |
| 4.2 主电路参数设计 |
| 4.2.1 器件选型 |
| 4.2.2 主电路参数设计 |
| 4.2.3 平面变压器参数设计 |
| 4.2.4 死区时间设计 |
| 4.2.5 主电路仿真 |
| 4.3 开关管损耗计算与分析 |
| 4.3.1 开关管损耗计算 |
| 4.3.2 开关管损耗分析 |
| 4.4 驱动电路设计 |
| 4.4.1 驱动设计要求分析 |
| 4.4.2 驱动电路设计 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 基于GaN E-HEMT的DC/DC电源实验结果与分析 |
| 5.1 实验平台的搭建 |
| 5.2 实验数据及波形分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 在学期间的研究成果 |
| 致谢 |
（2）罗姆半导体产品东北区域市场营销策略研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 半导体行业简介 |
| 1.1.2 全球半导体行业的现状以及发展 |
| 1.1.3 我国半导体行业的现状及发展 |
| 1.1.4 罗姆半导体简介以及在半导体行业中的地位 |
| 1.1.5 研究意义 |
| 1.2 理论及研究方法综述 |
| 1.2.1 市场营销基本概念 |
| 1.2.2 营销组合理论 |
| 1.2.3 SWOT分析法 |
| 1.2.4 STP分析法 |
| 1.3 研究思路及论文框架 |
| 1.3.1 研究思路与方法 |
| 1.3.2 研究框架 |
| 2 罗姆半导体所处的外部环境分析 |
| 2.1 宏观环境分析PEST |
| 2.2 行业环境分析 |
| 2.3 竞争环境分析 |
| 2.4 外部环境机会、威胁分析 |
| 3 罗姆半导体东北区域市场STP战略 |
| 3.1 罗姆产品在东北市场细分 |
| 3.2 罗姆半导体在东北区域的目标市场 |
| 3.3 罗姆半导体在东北区域的市场定位 |
| 4 罗姆半导体东北区域营销组合策略 |
| 4.1 产品策略 |
| 4.2 价格策略 |
| 4.3 渠道策略 |
| 4.4 促销策略 |
| 4.5 大客户管理策略 |
| 5 罗姆半导体营销策略东北区域的实施保障 |
| 5.1 绩效考核和激励机制 |
| 5.1.1 树立全员营销理念 |
| 5.1.2 对销售人员进行培训 |
| 5.1.3 优化销售人员薪酬结构 |
| 5.2 加强相关职能部门的保障 |
| 5.2.1 公司仓库管理部门 |
| 5.2.2 信息技术部门 |
| 5.2.3 财务部门 |
| 5.2.4 人力资源部门 |
| 5.2.5 市场部门 |
| 5.2.6 技术支持部门 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（3）小功率无滤波器D类音频功率放大器设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 音频功率放大器的研究现状和发展趋势 |
| 1.2 论文结构 |
| 第二章 音频功率放大器 |
| 2.1 音频放大器重要参数 |
| 2.1.1 声音的基本特性 |
| 2.1.2 放大器的技术指标 |
| 2.2 线性功率放大器 |
| 2.2.1 A类放大器 |
| 2.2.2 B类放大器 |
| 2.2.3 AB类放大器 |
| 2.3 D类放大器 |
| 2.3.1 D类放大器的原理 |
| 2.3.2 D类放大器的架构 |
| 2.3.3 D类放大器的功率分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 芯片的系统设计 |
| 3.1 功能和性能设计要求 |
| 3.1.1 芯片功能设计要求 |
| 3.1.2 芯片性能设计要求 |
| 3.2 芯片设计要素考虑 |
| 3.2.1 音质 |
| 3.2.2 无滤波器设计 |
| 3.2.3 芯片保护 |
| 3.2.4 电磁干扰（EMI） |
| 3.3 芯片系统结构设计 |
| 第四章 芯片的电路设计与仿真 |
| 4.1 基准电路设计 |
| 4.1.1 基准电路的原理 |
| 4.1.2 芯片中基准电路的设计 |
| 4.1.3 基准电路的仿真 |
| 4.2 三角波产生电路 |
| 4.2.1 三角波的产生原理 |
| 4.2.2 芯片中电路的实现 |
| 4.2.3 整体电路仿真 |
| 4.3 输入结构模块 |
| 4.3.1 输入结构的优化设计 |
| 4.3.2 输入运放电路实现 |
| 4.3.3 电路仿真 |
| 4.4 PWM 调制模块 |
| 4.4.1 比较器电路分析与设计 |
| 4.4.2 电路仿真 |
| 4.5 输出级 |
| 4.5.1 驱动电路设计 |
| 4.5.2 死区时间控制电路设计 |
| 4.5.3 功率晶体管设计 |
| 4.6 保护模块 |
| 4.6.1 过温保护 |
| 4.6.2 欠压保护 |
| 4.6.3 过流保护 |
| 4.7 shutdown模式 |
| 第五章 芯片的系统仿真 |
| 5.1 芯片系统电路 |
| 5.2 芯片系统仿真 |
| 第六章 结束语 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（4）数字音频功率放大器MAX9700/MAX9712及其应用（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 MAX9700/MAX9712的原理及功能特点 |
| 1.1 工作原理 |
| 1.2 调制方式选择 |
| 1.3 无滤波调制/共模空闲方式 |
| 1.4 固定频率调制和扩谱调制 |
| 1.5 省去输出滤波器-免滤波器调制器 |
| 1.6 扩谱调制使EMI最小化 |
| 1.7 关断 |
| 1.8 咔嗒声与噼噗声抑制 |
| 1.9 低EMI调制结构 |
| 1.1 0 高效率问题 |
| 2 MAX9700/MAX9712的应用 |
| 3 结论 |
（5）D类功率放大器的原理及应用（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 D类功放的工作原理 |
| 2.1 经典D类功放 |
| 2.2 D类功放的全桥输出 |
| 2.3 无输出滤波D类功放 |
| 3 D类功放应用实例 |
| 3.1 MAX9742的引脚及内部结构 |
| 3.2 MAX9742应用电路举例 |
| 4 结语 |
（6）低EMI、D类音频放大器及其应用（论文提纲范文）
| 低EMI调制结构 |
| 工作模式 |
| 无滤波调制 |
| 效率问题 |
| 应用 |
| 典型应用电路 |
| 元件选择 |
| 电源旁路/布线 |
| 结语 |
四、低EMI、D类音频放大器及其应用（论文参考文献）
- [1]基于GaN器件的高功率密度DC/DC模块电源设计[D]. 李可. 北方工业大学, 2018(11)
- [2]罗姆半导体产品东北区域市场营销策略研究[D]. 郑晨. 大连理工大学, 2016(03)
- [3]小功率无滤波器D类音频功率放大器设计[D]. 杨睿. 西安电子科技大学, 2009(01)
- [4]数字音频功率放大器MAX9700/MAX9712及其应用[J]. 黄法,孔秀华. 电子技术, 2008(11)
- [5]D类功率放大器的原理及应用[J]. 曾宝国,曾妍. 科技资讯, 2008(03)
- [6]低EMI、D类音频放大器及其应用[J]. 魏智. 电子设计应用, 2004(01)